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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 10 weeks |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0059 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP100N06S2L05AKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP100N06S3-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP100N06S3-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP100N06S3L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP100N06S3L03AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP100N06S3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPP100N08N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. |
|
| IPP100N08N3GHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPP100N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPP100N08S207AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP100N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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