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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | GREEN, TO-252, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.28 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 107 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD80P03P4L-07 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD80R1K0CE | INFINEON |
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800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C |
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| IPD80R1K2P7 | INFINEON |
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800V CoolMOSª P7 Power Transistor |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD80R1K4CE | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C |
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| IPD80R1K4P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPD80R2K0P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPD80R2K4P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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