Datasheet > IPD80R1K4P7

IPD80R1K4P7

更新时间： 2024-11-06 11:15:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
13页	1230K
描述
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD80R1K4P7 数据手册

IPD80R1K4P7

MOSFET

DPAK

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

Gate

Pin 1

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

1.4

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

0.9

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD80R1K4P7

PG-TO252-3

80R1K4P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2022-01-12

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与IPD80R1K4P7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD80R2K0P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K7C3A	INFINEON	获取价格	电动汽车领域，例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)），对更高系统电
IPD80R2K8CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPD80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOSÂª P7 Power Transistor
IPD80R3K3P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R4K5P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R600P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R750P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足

与IPD80R1K4P7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD80R1K4P7

IPD80R1K4P7 数据手册

与IPD80R1K4P7相关器件

与IPD80R1K4P7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD80R1K4P7

IPD80R1K4P7 数据手册

与IPD80R1K4P7相关器件

与IPD80R1K4P7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？