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IPD80R2K7C3A

更新时间： 2024-11-19 11:13:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	510K
描述
电动汽车领域，例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)），对更高系统电压的需求日益增长，CoolMOS™ C3A 技术就是专为满足这种需求而设计的。

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IPD80R2K7C3A 数据手册

Data Sheet

IPD80R2k7C3A

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

V_DS

800

2.7

• New revolutionary high voltage technology

• Extreme dv/dt rated

R_DS(on)max@ T_j= 25°C

Q_g,typ

• High peak current capability

• Qualified according to AEC Q101

• Green package (RoHS compliant), Pb-free lead plating, halogen free for mold compound

PG-TO252-3

• Ultra low gate charge

• Ultra low effective capacitances

CoolMOS^TM800V designed for:

• Automotive application with high DC bulk voltage

• Switching Application ( i.e. active clamp forward )

Type

Package

Marking

IPD80R2k7C3A

PG-TO252-3

80C2k7A

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

1.2

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=1 A, V _DD=50 V

I _D=2 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

2),3)

E _AR

0.05

Avalanche energy, repetitive t _AR

I _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

MOSFET dv /dt ruggedness

Gate source voltage

V _DS=0…640 V

static

dv /dt

V _GS

V/ns

±20

±30

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

Power dissipation

-40 ... 150

Operating, Storage temperature

Tj,Tstg

°C

Final Data Sheet, Rev. 1.1

page 1

2013-11-21

12 3 4 5 6 7...10

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