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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD85P04P4-07
IPD85P04P4-07 PDF预览

IPD85P04P4-07

更新时间： 2024-01-12 04:39:13
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 153K
描述
OptiMOS-P2 Power-Transistor

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IPD85P04P4-07 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：30 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.0073 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD85P04P4-07 数据手册

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IPD85P04P4-07  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
R DS(on)  
I D  
-40  
7.3  
-85  
V
mW  
A
Features  
• P-channel - Normal Level - Enhancement mode  
• AEC qualified  
PG-TO252-3-313  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD85P04P4-07  
PG-TO252-3-313  
4P0407  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
V GS=-10V  
I D  
Continuous drain current  
-85  
-61  
A
T C=100°C,  
V GS=-10V2)  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25°C  
-340  
30  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=-42.5A  
mJ  
A
-
-85  
±20  
88  
V GS  
P tot  
-
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2011-04-18  
1234567...9

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IPD85P04P4-07 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB80P04P4L-04 INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IPD85P04P407ATMA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IPD85P04P4L-06 INFINEON

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 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD85P04P4L06ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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