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IPD90N04S4-05

更新时间： 2024-11-05 11:08:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD90N04S4-05 数据手册

IPD90N04S4-05

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

5.2

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-313

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD90N04S4-05

PG-TO252-3-313 4N0405

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

344

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=45A

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2010-04-13

12 3 4 5 6 7...9

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IPD90N04S4-05 替代型号

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