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IPD90N06S4L05ATMA2

更新时间： 2024-11-18 19:55:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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IPD90N06S4L-05

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

4.6

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Ultra low R_DSon

Type

Package

Marking

IPD90N06S4L-05

PG-TO252-3-11 4N06L05

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

I _D

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

360

135

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=45A

V_GS

P_tot

±16

T _C=25°C

Power dissipation

107

°C

−

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2009-03-24

12 3 4 5 6 7...9

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IPD90N06S4L05ATMA2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD90N06S4L05ATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPD90N06S4L05ATMA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD90N06S4L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N06S4L06ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N08S4-05	INFINEON	获取价格	? ? 仿真/ SPICE-型号 ?
IPD90N08S405ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N10S4-06	INFINEON	获取价格	? 仿真/SPICE 型号
IPD90N10S4L-06	INFINEON	获取价格
IPD90N10S4L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD90P03P4-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD90P03P404ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD90P03P404ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,