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IPD95R2K0P7ATMA1

更新时间： 2024-01-25 02:05:59

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
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14页	1084K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPD95R2K0P7ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	1.5
雪崩能效等级（Eas）：	6 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	950 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	37 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD95R2K0P7ATMA1 数据手册

IPD95R2K0P7

MOSFET

DPAK

950VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ950VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ950V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀBest-in-classꢀCoolMOS™ꢀqualityꢀandꢀreliability

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

Gate

Pin 1

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLEDꢀLighting,ꢀlowꢀpower

ChargersꢀandꢀAdapters,ꢀSmartꢀMeter,ꢀAUXꢀpowerꢀandꢀIndustrialꢀpower.

AlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀandꢀSolarꢀapplications.

ProductꢀValidation:ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

950

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

0.9

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD95R2K0P7

PG-TO 252-3

95R2K0P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-06-04

12 3 4 5 6 7...14

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IPD95R750P7	INFINEON	获取价格	Designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest
IPDA0512S	ETC	获取价格	Analog IC
IPDA-0512S	TAIYO YUDEN	获取价格	DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 0.3W, Hybrid, SIP-7/6
IPDA0515S	ETC	获取价格	Analog IC
IPDB0512S	ETC	获取价格	Analog IC
IPDB-0512S	TAIYO YUDEN	获取价格	DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 0.5W, Hybrid, SIP-8/7
IPDB0515S	ETC	获取价格	Analog IC
IPDB-0515S	TAIYO YUDEN	获取价格	DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 0.5W, Hybrid, SIP-8/7

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