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IPD90R1K2C3BTMA1 PDF预览

IPD90R1K2C3BTMA1

更新时间： 2024-01-21 11:55:05
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 385K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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IPD90R1K2C3BTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.94雪崩能效等级（Eas）：68 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：5.1 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD90R1K2C3BTMA1 数据手册

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IPD90R1K2C3  
CoolMOS™ Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
1.2  
28  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @T J=25°C  
Ω
Q g,typ  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; available in Halogen free mold compounda)  
PG-TO252  
• Ultra low gate charge  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPD90R1K2C3  
PG-TO252  
9R1K2C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
5.1  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
3.2  
T C=100 °C  
2)  
10  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
Pulsed drain current  
I D=0.92 A, V DD=50 V  
I D=0.92 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
68  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
0.31  
0.92  
50  
I AR  
A
V
DS=0...400 V  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
static  
±30  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
83  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
a) non-Halogen free (OPN: IPD90R1K2C3BT); Halogen free (OPN: IPD90R1K2C3AT)  
Rev.
2.0  
page 1  
2013-07-31  
1234567...10

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IPD90R1K2C3BTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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