5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPD90P03P404ATMA1
IPD90P03P404ATMA1 PDF预览

IPD90P03P404ATMA1

更新时间： 2024-01-06 01:14:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPD90P03P404ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：7.82雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD90P03P404ATMA1 数据手册

 浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD90P03P404ATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPD90P03P4-04  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
R DS(on)  
I D  
-30  
4.5  
-90  
V
mΩ  
A
Features  
• P-channel - Normal Level - Enhancement mode  
• AEC qualified  
PG-TO252-3-11  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90P03P4-04  
PG-TO252-3-11 4P0304  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
GS=-10V  
Continuous drain current1)  
I D  
-90  
-90  
A
V
T C=100°C,  
GS=-10V2)  
V
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
-360  
370  
-90  
I D=-45A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
VGS  
Ptot  
-
±20  
137  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2008-07-30  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IPD90P03P404ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

与IPD90P03P404ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD90P03P404ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPD90P03P4L-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD90P03P4L04ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD90P04P4-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD90P04P405ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0047ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD90P04P405ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPD90P04P4L-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD90P04P4L04ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPD90R1K2C3 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor

与IPD90P03P404ATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证