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IPD90N06S4-05

更新时间： 2024-11-18 05:39:23

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9页	165K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD90N06S4-05 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.73
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPD90N06S4-05 数据手册

IPD90N06S4-05

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

5.1

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Ultra Low R_DSon

Type

Package

Marking

IPD90N04S6-05

PG-TO252-3-11 4N0605

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

I _D

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

360

135

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=45A

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

107

°C

−

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2009-03-24

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPD90N06S4-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N06S407ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N06S4L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N06S4L03ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N06S4L03ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N06S4L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N06S4L05ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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