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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 5.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 67 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0069 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD90N06S4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S4L03ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD90N06S4L03ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD90N06S4L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S4L05ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N06S4L05ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IPD90N06S4L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S4L06ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N08S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
? ? 仿真/ SPICE-型号 ? |
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| IPD90N08S405ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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