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IPD90N06S4L03ATMA1

更新时间： 2024-11-21 20:04:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IPD90N06S4L03ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：331 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD90N06S4L03ATMA1 数据手册

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IPD90N06S4L-03  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
3.5  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Ultra low RDSon  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N06S4L-03  
PG-TO252-3-11 4N06L03  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
90  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
90  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
331  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
90  
VGS  
Ptot  
-
±16  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
−
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2009-03-24  
1234567...9

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IPD90N06S4L03ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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