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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD90N06S3L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD90N06S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S404ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N06S404ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD90N06S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S405ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD90N06S4-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD90N06S407ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD90N06S4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N06S4L03ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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