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IPD90N04S4L-04

更新时间： 2024-02-08 19:37:40
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 155K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD90N04S4L-04 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59雪崩能效等级（Eas）：95 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
最大漏极电流 (ID)：90 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：71 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD90N04S4L-04 数据手册

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IPD90N04S4L-04  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
3.8  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-313  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N04S4L-04  
PG-TO252-3-313 4N04L04  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
90  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
84  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
95  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
90  
VGS  
Ptot  
-
+20/-16  
71  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-04-06  
1234567...9

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IPD90N04S4L-04 替代型号

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