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IPD90N06S3L-05

更新时间： 2024-11-05 11:08:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
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9页 183K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

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IPD90N06S3L-05 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.66其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：90 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD90N06S3L-05 数据手册

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IPD90N06S3L-05  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
55  
5
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
90  
Features  
• N-channel - Logic Level - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• Ultra low Rds(on)  
PG-TO252-3-11  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N06S3L-05  
PG-TO252-3-11 QN06L05  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
90  
87  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=45 A  
360  
410  
mJ  
A
I AS  
Avalanche current, single pulse  
90  
Gate source voltage3)  
VGS  
±16  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
136  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
2007-11-07  
1234567...9

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与IPD90N06S3L-05相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD90N06S3L05ATMA1 INFINEON

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