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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.79 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 720 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 254 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD90N04S4-05 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| NP80N04PLG-E1B-AY | RENESAS |
功能相似 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N04PUG-E1B-AY | RENESAS |
功能相似 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB8442_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.9m |
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| FDB8442_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDB8442-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
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| FDB8443 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ |
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| FDB8443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDB8443_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.0m |
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| FDB8443-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.0mΩ |
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| FDB8444 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhm |
|
| FDB8444 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，70A，5.5mΩ |
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| FDB8444_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 70A, 5.5m |
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