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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.4 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 253 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 74 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 66 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB86102LZ | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDB86102LZ | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100V，30A，24mΩ |
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| FDB86135 | FAIRCHILD |
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N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
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| FDB86135 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100V，176A，3.5mΩ |
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| FDB86360-F085 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，1.5 mΩ |
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| FDB86363-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，2.4mΩ |
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| FDB86366-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，3.6mΩ |
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| FDB86563-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，110A，1.8mΩ |
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| FDB86566-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，110 A，2.7 mΩ |
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| FDB86569-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，80 A，5.6 mΩ |
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