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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.03 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 166972 | Samacsys Pin Count： | 4 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) |
| Samacsys Footprint Name： | TO263(DDPAK) | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:42:51 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 947 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 306 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDB8860_F085 | FAIRCHILD |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BUK662R5-30C,118 | NXP |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB8860_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDB8860_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30 |
|
| FDB8860_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB8860-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench® |
|
| FDB8870 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW |
|
| FDB8870 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ |
|
| FDB8870_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDB8870_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9 |
|
| FDB8870_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB8870-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
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