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FDB8876

更新时间： 2024-10-01 10:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 299K
描述
N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 71A, 8.5mOhm

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FDB8876 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：71 A
最大漏极电流 (ID)：71 A最大漏源导通电阻：0.0103 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB8876 数据手册

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November 2005  
FDB8876  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30V, 71A, 8.5mΩ  
General Descriptions  
Features  
„ rDS(ON) = 8.5mΩ, VGS = 10V, ID = 40A  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
„ rDS(ON) = 10.3mΩ, VGS = 4.5V, ID = 40A  
„ High performance trench technology for extremely low  
rDS(ON)  
„ Low gate charge  
rDS(ON) and fast switching speed.  
„ High power and current handling capability  
„ RoHS Compliant  
D
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
(FLANGE)  
TO-263AB  
S
FDB SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 4.5V)  
Pulsed  
71  
65  
A
A
ID  
Figure 4  
180  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
oC  
PD  
70  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263,1in2copper pad area  
2.14  
43  
oC/W  
oC/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
24mm  
Quantity  
FDB8876  
FDB8876  
TO-263AB  
330mm  
800 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB8876 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB8876_NL FAIRCHILD

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