是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 1.52 | 雪崩能效等级(Eas): | 634 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 110 A |
最大漏极电流 (ID): | 110 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0016 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 333 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 399 ns | 最大开启时间(吨): | 156 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB9406_F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1. |
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FDB9406-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40 V,110 A,1.8 mΩ |
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FDB9406L-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,110 A,1.5 |
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FDB9409-F085 | ONSEMI |
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车用 N 沟道 MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ |
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FDB9409L | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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FDB9409L_F085 | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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FDB9409L-F085 | ONSEMI |
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汽车级,N 沟道,逻辑电平,MOSFET,40 V,90 A,2.9 mΩ |
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FDB9503L-F085 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-110 A,2.6 mΩ |
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FDB9506L-F085 | ONSEMI |
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Power MOSFET, P-Channel, Logic Level, Trench, |
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FDB9509L-F085 | ONSEMI |
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PowerTrench® MOSFET,P 沟道,-40 V,-83 A,8.0 mΩ |
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