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FDB8896_F085

更新时间： 2024-01-06 02:56:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 207K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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FDB8896_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：74 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：93 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0068 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB8896_F085 数据手册

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July 2010  
FDB8896_F085  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 93A, 5.7mΩ  
®
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.7mΩ, V = 10V, I = 35A  
DS(ON)  
GS D  
r
= 6.8mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
Low gate charge  
Applications  
•
•
•
High power and current handling capability  
Qualified to AEC Q101  
•
DC/DC converters  
RoHS Compliant  
D
GATE  
SOURCE  
G
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-263AB  
FDB SERIES  
S
S
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
Continuous (T  
o
93  
85  
A
A
C
GS  
o
I
D
o
o
= 25 C, V = 10V, with R = 43 C/W)  
θJA  
19  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
74  
80  
0.53  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
Derate above 25 C  
mJ  
W
AS  
D
o
o
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
1.88  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263 ( Note 3)  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
43  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
330mm  
Tape Width  
24mm  
Quantity  
800 units  
FDB8896  
FDB8896_F085  
TO-263AB  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB8896_F085 Rev. A  
1234567...11

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与FDB8896_F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB8896-F085 ONSEMI

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 		30 V、93 A、4.7 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®
FDB9403 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.
FDB9403_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDB9403-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，110A，1.2mΩ
FDB9403L-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40 V，110 A，1.2
FDB9406_F085 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.
FDB9406-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40 V，110 A，1.8 mΩ
FDB9406L-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40 V，110 A，1.5
FDB9409-F085 ONSEMI

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 		车用 N 沟道 MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ
FDB9409L ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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