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FDB9403_F085

更新时间： 2024-01-17 08:09:09
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 486K
描述
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3/2 PIN

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FDB9403_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3/2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：968 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.0012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：333 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB9403_F085 数据手册

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Aug  
2012  
FDB9403_F085  
®
N-Channel Power Trench MOSFET  
40V, 110A, 1.2mΩ  
D
D
Features  
„ Typ r  
= 1mΩ at V = 10V, I = 80A  
GS D  
DS(on)  
„ Typ Q  
= 164nC at V = 10V, I = 80A  
GS D  
g(tot)  
G
„ UIS Capability  
„ RoHS Compliant  
„ Qualified to AEC Q101  
G
S
TO-263AB  
S
FDB SERIES  
Applications  
„ Automotive Engine Control  
„ Powertrain Management  
„ Solenoid and Motor Drivers  
„ Electronic Steering  
„ Integrated Starter/alternator  
„ Distributed Power Architectures and VRM  
„ Primary Switch for 12V Systems  
MOSFET Maximum Ratings TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
±20  
V
V
VGS  
Drain Current - Continuous (VGS=10) (Note 1)  
Pulsed Drain Current  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
110  
ID  
A
See Figure4  
968  
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 2)  
(Note 3)  
mJ  
W
W/oC  
oC  
oC/W  
oC/W  
Power Dissipation  
Derate above 25oC  
333  
2.22  
TJ, TSTG Operating and Storage Temperature  
-55 to + 175  
0.45  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case  
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient  
43  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
330mm  
Tape Width  
Quantity  
FDB9403  
FDB9403_F085  
TO-263AB  
24mm  
800 units  
Notes:  
1. Current is limited by bondwire configuration. Please see Fairchild AN 9757-1 for details on test method.  
2: Starting T = 25°C, L = 0.47mH, I = 64A, V = 40V during inductor charging and V = 0V during time in avalanche.  
J
AS  
DD  
DD  
3: RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
mounting surface of the drain pins. RθJC is guaranteed by design while RθJAis determined by the user's board design. The maximum rating  
2
presented here is based on mounting on a 1 in pad of 2oz copper.  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB9403_F085_F085 Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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