型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8860_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDB8860-F085 | ONSEMI |
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30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench® |
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FDB8870 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW |
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FDB8870 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,160A,3.9mΩ |
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FDB8870_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDB8870_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9 |
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FDB8870_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDB8870-F085 | ONSEMI |
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30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
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FDB8874 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDB8874_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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