是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 6.01 | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 160 A |
最大漏极电流 (ID): | 23 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0044 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 160 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8874 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB8874_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FDB8876 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 71A, 8.5mOhm | |
FDB8876_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 30V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8878 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V | |
FDB8880 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB8880 | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDB8880_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FDB8896 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm | |
FDB8896 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,93A,5.7mΩ |