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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 1.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 512 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 110 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB86366-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，110A，3.6mΩ |
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| FDB86563-F085 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，110A，1.8mΩ |
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| FDB86566-F085 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，110 A，2.7 mΩ |
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| FDB86569-F085 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，80 A，5.6 mΩ |
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| FDB8832 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 2.1mOHM |
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| FDB8832 | ONSEMI |
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N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，80A，2.1mΩ |
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| FDB8832 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDB8832_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30 |
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| FDB8832-F085 | ONSEMI |
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30 V、80 A、1.5 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench® |
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| FDB8860 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET |
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