是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.34 |
雪崩能效等级(Eas): | 307 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 70 A | 最大漏源导通电阻: | 9.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8445 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 9mOhm | |
FDB8445 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,9mΩ | |
FDB8445_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 70A, 9mΩ | |
FDB8445-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,9mΩ | |
FDB8447L | FAIRCHILD |
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40V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB8447L | ROCHESTER |
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15A, 40V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | |
FDB8447L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,8.5mΩ | |
FDB8453LZ | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDB86102LZ | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDB86102LZ | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100V,30A,24mΩ |