是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.41 |
雪崩能效等级(Eas): | 720 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0029 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 254 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDB8442-F085 | ONSEMI |
功能相似 |
40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8442-F085 | ONSEMI |
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40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDB8443 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V,182A,3mΩ | |
FDB8443 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDB8443_11 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.0m | |
FDB8443-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.0mΩ | |
FDB8444 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhm | |
FDB8444 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,5.5mΩ | |
FDB8444_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 70A, 5.5m | |
FDB8444-F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 70A, 5.5m | |
FDB8444-F085 | ONSEMI |
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40 V、70 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |