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FDB8442_F085

更新时间: 2024-01-07 07:53:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 367K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

FDB8442_F085 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.41
雪崩能效等级(Eas):720 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):28 A
最大漏源导通电阻:0.0029 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):254 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

FDB8442_F085 数据手册

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May 2010  
FDB8442_F085  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
40V, 80A, 2.9mΩ  
Features  
Applications  
„ Automotive Engine Control  
„ Typ rDS(on) = 2.1mat VGS = 10V, ID = 80A  
„ Powertrain Management  
„ Solenoid and Motor Drivers  
„ Electronic Steering  
„ Typ Qg(10) = 181nC at VGS = 10V  
„ Low Miller Charge  
„ Low Qrr Body Diode  
„ Integrated Starter / Alternator  
„ UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
„ Qualified to AEC Q101  
„ Distributed Power Architectures and VRMs  
„ Primary Switch for 12V Systems  
„ RoHS Compliant  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB8442_F085 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  

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