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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 7.83 | 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 85 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0073 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 340 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD85P04P407ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD85P04P4L-06 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPD85P04P4L06ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD900P06NM | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag |
|
| IPD90N03S4L-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N03S4L02ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N03S4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N03S4L-03_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N03S4L03ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N04S3-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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