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IPD90N03S4L-03_10

更新时间： 2024-11-05 11:08:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	159K
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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD90N03S4L-03

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

3.3

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD90N03S4L-03

PG-TO252-3-11 4N03L03

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

360

I _D=90 A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

V_GS

P_tot

±16

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 2.1

page 1

2010-03-08

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPD90N04S3-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPD90N04S304ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N04S3-H4	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPD90N04S3H4ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N04S4-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S4-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N04S4-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S4-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor