5秒后页面跳转
IPD90N04S4-02 PDF预览

IPD90N04S4-02

更新时间: 2024-11-18 12:20:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD90N04S4-02 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):475 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A最大漏极电流 (ID):90 A
最大漏源导通电阻:0.0024 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD90N04S4-02 数据手册

 浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD90N04S4-02的Datasheet PDF文件第7页 
IPD90N04S4-02  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
2.4  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
m  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-313  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N04S4-02  
PG-TO252-3-313 4N0402  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
90  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
90  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
475  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
90  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-04-13  

与IPD90N04S4-02相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD90N04S4-03 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S403ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N04S4-04 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S4-05 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S4L-04 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N06S3-06 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T Power-Transistor
IPD90N06S3L-05 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T Power-Transistor
IPD90N06S3L05ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD90N06S3L-07 INFINEON

获取价格

OptiMOS-T Power-Transistor