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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD90N04S4-02
IPD90N04S4-02 PDF预览

IPD90N04S4-02

更新时间： 2024-11-05 12:20:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD90N04S4-02 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：475 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD90N04S4-02 数据手册

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IPD90N04S4-02  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
2.4  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-313  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N04S4-02  
PG-TO252-3-313 4N0402  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
90  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
90  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
475  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
90  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-04-13  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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