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IPD90N04S3-H4

更新时间: 2024-11-05 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

IPD90N04S3-H4 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.63Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):330 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A最大漏极电流 (ID):90 A
最大漏源导通电阻:0.0043 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):115 W最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD90N04S3-H4 数据手册

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IPD90N04S3-H4  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
4.3  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
m  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N04S3-H4  
PG-TO252-3-11 QN04H4  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
90  
A
90  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25 °C  
360  
330  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45 A  
mJ  
A
-
90  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
115  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2008-08-01  

IPD90N04S3-H4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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