是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 5.58 | 雪崩能效等级(Eas): | 260 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0036 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD90N04S3-H4 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD90N04S3H4ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S4-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4-05 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4L04ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N06S3-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |