是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 1.63 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 85 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0033 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD90N04S3-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD90N04S304ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S3-H4 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD90N04S3H4ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S4-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4-05 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N04S4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |