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IPD90N03S4L03ATMA1

更新时间: 2024-11-18 14:51:35
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英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

IPD90N03S4L03ATMA1 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.63Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):85 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):90 A最大漏源导通电阻:0.0033 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD90N03S4L03ATMA1 数据手册

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IPD90N03S4L-03  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
30  
3.3  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
m  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD90N03S4L-03  
PG-TO252-3-11 4N03L03  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
90  
A
90  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25 °C  
360  
85  
I D=90 A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
T C=25 °C  
90  
VGS  
Ptot  
-
±16  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
94  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 2.1  
page 1  
2010-03-08  

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