5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 1.63 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD90N04S3-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD90N04S304ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N04S3-H4 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD90N04S3H4ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N04S4-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N04S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N04S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD90N04S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N04S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD90N04S4L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
