是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 85 A | 最大漏极电流 (ID): | 85 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0064 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 88 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 340 A | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB80P04P4L-06 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD85P04P4L06ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IPD900P06NM | INFINEON |
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OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag | |
IPD90N03S4L-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N03S4L02ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N03S4L-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N03S4L-03_10 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD90N03S4L03ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S3-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD90N04S304ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD90N04S3-H4 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |