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IPD90N03S4L02ATMA1

更新时间： 2024-02-18 19:24:36

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	161K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IPD90N03S4L02ATMA1 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.83

IPD90N03S4L02ATMA1 数据手册

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IPD90N03S4L-02

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

2.2

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD90N03S4L-02

PG-TO252-3-11 4N03L02

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

360

240

I _D=90 A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _AS

T _C=25 °C

V_GS

±16

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

136

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 3.0

page 1

2008-03-18

12 3 4 5 6 7...9

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