型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD80R1K2P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOSª P7 Power Transistor | |
IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IPD80R1K4CE | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。C | |
IPD80R1K4P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPD80R2K0P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPD80R2K4P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 | |
IPD80R2K7C3A | INFINEON |
获取价格 |
电动汽车领域,例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)),对更高系统电 | |
IPD80R2K8CE | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。C | |
IPD80R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOSª P7 Power Transistor | |
IPD80R3K3P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 |