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IPD80R900P7

更新时间： 2024-11-19 11:11:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
13页	1214K
描述
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

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IPD80R900P7

MOSFET

DPAK

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

Gate

Pin 1

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

0.90

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

1.4

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPD80R900P7

PG-TO252-3

80R900P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2022-01-13

12 3 4 5 6 7...13

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IPD85P04P407ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD85P04P4L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD85P04P4L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD900P06NM	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag
IPD90N03S4L-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N03S4L02ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N03S4L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
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