Datasheet > IPD80R900P7

IPD80R900P7

更新时间： 2024-11-06 11:11:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
13页	1214K
描述
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD80R900P7 数据手册

IPD80R900P7

MOSFET

DPAK

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

Gate

Pin 1

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

0.90

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

1.4

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD80R900P7

PG-TO252-3

80R900P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2022-01-13

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与IPD80R900P7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD85P04P4-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD85P04P407ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD85P04P407ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD85P04P4L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD85P04P4L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD900P06NM	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag
IPD90N03S4L-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N03S4L02ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD90N03S4L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD90N03S4L-03_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor

与IPD80R900P7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD80R900P7

IPD80R900P7 数据手册

与IPD80R900P7相关器件

与IPD80R900P7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD80R900P7

IPD80R900P7 数据手册

与IPD80R900P7相关器件

与IPD80R900P7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？