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IPD80R1K2P7

更新时间： 2024-11-21 00:33:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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13页	978K
描述
800V CoolMOSÂª P7 Power Transistor

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IPD80R1K2P7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	2.37
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

IPD80R1K2P7 数据手册

IPD80R1K2P7

MOSFET

DPAK

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀBest-in-classꢀCoolMOS™ꢀqualityꢀandꢀreliability;ꢀqualifiedꢀforꢀindustrial

gradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20ꢀandꢀJESD22)

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

Source

Pin 3

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Applications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

1.2

Unit

Ω

I_D

4.5

1.0

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPD80R1K2P7

PG-TO 252-3

80R1K2P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-05-02

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD80R1K2P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD80R1K4CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPD80R1K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K0P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
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