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IPD80R1K2P7ATMA1

更新时间： 2024-11-17 20:42:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2

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IPD80R1K2P7ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	1.64	雪崩能效等级（Eas）：	10 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD80R1K2P7ATMA1 数据手册

IPD80R1K2P7

MOSFET

DPAK

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀBest-in-classꢀCoolMOS™ꢀqualityꢀandꢀreliability;ꢀqualifiedꢀforꢀindustrial

gradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20ꢀandꢀJESD22)

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

Source

Pin 3

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Applications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

1.2

Unit

Ω

I_D

4.5

1.0

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD80R1K2P7

PG-TO 252-3

80R1K2P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-05-02

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPD80R1K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K0P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K7C3A	INFINEON	获取价格	电动汽车领域，例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)），对更高系统电
IPD80R2K8CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
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