Datasheet > IPD80P03P4L07ATMA2

IPD80P03P4L07ATMA2

更新时间： 2024-02-14 08:29:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	262K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD80P03P4L07ATMA2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IPD80P03P4L07ATMA2 数据手册

浏览型号IPD80P03P4L07ATMA2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPD80P03P4L07ATMA2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPD80P03P4L07ATMA2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPD80P03P4L07ATMA2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPD80P03P4L07ATMA2的Datasheet PDF文件第6页

IPD80P03P4L-07

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

-30

6.8

-80

Features

• P-channel - Logic Level - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Intended for reverse battery protection

Type

Package

Marking

IPD80P03P4L-07

PG-TO252-3-11 4P03L07

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

V _GS=-10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

-80

-65

T _C=100°C,

V _GS=-10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

-320

135

I _D=-40A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

-80

V _GS

P _tot

+5/-16

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 2.0

page 1

2018-02-15

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IPD80P03P4L07ATMA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD80R1K0CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPD80R1K2P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOSÂª P7 Power Transistor
IPD80R1K2P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD80R1K4CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPD80R1K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K0P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPD80R2K7C3A	INFINEON	获取价格	电动汽车领域，例如插电充电型混合动力汽车(PHEV)和纯电动汽车(BEV)），对更高系统电
IPD80R2K8CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPD80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOSÂª P7 Power Transistor