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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD33CN10NGXT
IPD33CN10NGXT PDF预览

IPD33CN10NGXT

更新时间： 2024-09-16 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 708K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, DPAK-3

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IPD33CN10NGXT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：47 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD33CN10NGXT 数据手册

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IPB35CN10N G IPD33CN10N G  
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
34  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO252)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
27  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G  
IPP35CN10N G IPU33CN10N G  
Type  
PG-TO263-3  
35CN10N  
PG-TO252-3  
33CN10N  
PG-TO262-3  
35CN10N  
PG-TO220-3  
35CN10N  
PG-TO251-3  
33CN10N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
27  
20  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
108  
47  
I D=27 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=27 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
58  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
3)  
T
=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V  
jmax  
Rev.1.02  
page 1  
2006-06-02  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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