是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 80 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 27 A | 最大漏极电流 (ID): | 27 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 68 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 108 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD400N06NG_08 | INFINEON |
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OptiMOS® Power-Transistor Features N-channel | |
IPD400N06NGBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IPD40DP06NM | INFINEON |
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OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag | |
IPD40N03S4L-08 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD40N03S4L-08_10 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD40N03S4L08ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD42DP15LM | INFINEON |
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D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 | |
IPD49CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPD49CN10NGBUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD49CN10NGTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |