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IPD50N03S207ATMA1

更新时间： 2024-11-21 21:02:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IPD50N03S207ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：5.65其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0073 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD50N03S207ATMA1 数据手册

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IPD50N03S2-07  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
7.3  
50  
V
• N-channel - Enhancement mode  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
PG-TO252-3-11  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD50N03S2-07  
PG-TO252-3-11 PN0307  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
50  
A
50  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=50A  
200  
250  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
136  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-07-18  
12345678

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IPD50N03S207ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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