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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 87 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 71 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AON7244 | AOS |
功能相似  |
60V N-Channel MOSFET |
|
| IPB090N06N3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD50N06S409ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD50N06S409ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD50N06S4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD50N06S4L08ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50N06S4L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD50N08S4-13 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50N08S413ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50N10S3L-16 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD50N12S3L-15 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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