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SPD50N03S207GBTMA1 PDF预览

SPD50N03S207GBTMA1

更新时间： 2024-11-21 13:18:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3/2 PIN

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SPD50N03S207GBTMA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.04
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0073 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPD50N03S207GBTMA1 数据手册

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SPD50N03S2-07 G  
&
OptiMOS !Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
30  
7.3  
50  
V
DS  
% N-Channel  
R
m"  
A
DS(on)  
% Enhancement mode  
I
D
% Excellent Gate Charge x R  
product (FOM)  
DS(on)  
Ph-TO252-3  
%!Superior thermal resistance  
%!175°C operating temperature  
% Avalanche rated  
% dv/dt rated  
´ Ug2kwj j qj fi uqfynsl@ W tM X htruqnfsy  
Type  
Package  
Marking  
SPD50N03S2-07 L  
PN0307  
Ph-TO252-3  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
C
50  
50  
200  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
250  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
E
AS  
AR  
I =50 A , V =25V, R =25"  
D
DD  
GS  
2)  
13  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =50A, V =24V, di/dt=200A/µs, T  
DS  
=175°C  
jmax  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
136  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
QS-0Z-2008  
1234567...9

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SPD50N03S207GBTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD50N03S207ATMA1 INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPD50N03S2L INFINEON

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 		N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
SPD50N03S2L_08 INFINEON

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 		N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
SPD50N03S2L-06 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
SPD50N03S2L-06G INFINEON

获取价格

 		N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
SPD50N03S2L06GBTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		OptiMOS Power-Transistor
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 		OptiMOS Power-Transistor
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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		OptiMOS-P Power - Transistor

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