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IPD50N06S3-09

更新时间： 2024-10-02 11:08:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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描述
OptiMOS-T Power-Transistor

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IPD50N06S3-09 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	8.03	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	107 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IPD50N06S3-09 数据手册

IPD50N06S3-09

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V_DS

9.0

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Normal Level - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

PG-TO252-3-11

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD50N06S3-09

PG-TO252-3-11 3N0609

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=25 A

200

370

I _AS

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage³⁾

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

107

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2009-05-20

12 3 4 5 6 7...9

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IPD50N06S4-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
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