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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0079 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 46 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD50N04S4-10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD50N04S4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD50N04S4L08ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD50N06S2-14 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD50N06S2-14 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IPD50N06S214ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD50N06S2L-13 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD50N06S2L13ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD50N06S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD50N06S307ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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