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IPD50N06S307ATMA1

更新时间： 2024-10-02 21:17:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD50N06S307ATMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.64
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	710 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0069 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50N06S307ATMA1 数据手册

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IPD50N06S3-07

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V_DS

6.9

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Normal Level - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

PG-TO252-3-11

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD50N06S3-07

PG-TO252-3-11 3N0607

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=25 A,

200

710

I _AS

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage³⁾

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

136

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.2

page 1

2009-06-15

12 3 4 5 6 7...9

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