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IPD50N06S3L-08

更新时间： 2024-10-02 11:08:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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OptiMOS-T Power-Transistor

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IPD50N06S3L-08 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50N06S3L-08 数据手册

IPD50N06S3L-08

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V_DS

7.8

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Logic Level - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

PG-TO252-3-11

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD50N06S3L-08

PG-TO252-3-11 3N06L08

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=25 A

200

370

I _AS

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage³⁾

V_GS

±16

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

107

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2009-05-20

12 3 4 5 6 7...9

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IPD50N06S409ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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